苏州某半导体材料IC芯片研发厂，晶圆加工生产时中引起含硅、氟的特色电镀废水补救，来设计补救占比1200吨/日。电镀废水补救有效成分比较复杂，所含纳米技术级硅粒子及氢氧化钠，过去的补救形式仍未未达标。 焦化废水的成分及渠道 重要被污染的物 ：溶液硅（100-500nm粒度分布）、氟阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 起源程序 ：晶圆刻蚀工业废污水（45%）、CMP物理自动化机械打磨工业废污水（40%）、机器冲刷水（15%） 整理流量流量 的创新适用"普通机械析出+重型膜剥离"技术工艺路线图： 钙盐积累 ：加药系统氯化钙祛除氟正离子（转成CaF2沉淀出的） 斜板沉淀池不起作用 ：和好斜管沉淀池剂实现目标悬浊液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm孔经膜截流微细颗粒剂 反侵入模式 ：脱盐率>98%，收购率75% 蒸发掉心得 ：浓水段完成氟化物零尾气排放 结果的效果 氟化物氧浓度：<8mg/L（底于国家考试内容一级的标准10mg/L） 硅量：<5mg/L 中国水资源性回收率：70%用在待冷却水塔补水保湿 危险废弃物减药：化掉残留物量较过去新工艺才能减少60%